[发明专利]一种振荡器电路在审
| 申请号： | 201710557790.7 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN107342736A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长沙方星腾电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/04 | 分类号： | H03B5/04;H03B5/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙市长沙高新开*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种振荡器电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括电流源的一端接电源，另一端接第一反相器的输入、电容的一端和第一晶体管的漏极；电容的另一端接地；第一反相器的输出接第二反相器的输入和第一PMOS晶体管的栅极；第二反相器的输出接第三反相器的输入和第二PMOS晶体管的漏极；第三反相器的输出作为振荡器的输出，且接第四反相器的输入和第二PMOS晶体管的栅极；第四反相器的输出接第一NMOS晶体管的栅极；第一PMOS晶体管的源极接电源，漏极接第二PMOS晶体管的源极；第一NMOS晶体管的源极接地。本发明的振荡器结构引入了电流源和锁存电路，这大大提升了振荡器的抗电磁干扰能力，增强了频率稳定度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 振荡器 电路 | ||
【主权项】：
一种振荡器电路，其特征在于，包括：电流源I、电容C1、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2和第一NMOS晶体管N1；电流源I的一端接电源，另一端接第一反相器INV1的输入、电容C1的一端和第一NMOS晶体管N1的漏极；电容C1的另一端接地；第一反相器INV1的输出接第二反相器INV2的输入和第一PMOS晶体管P1的栅极；第二反相器INV2的输出接第三反相器INV3的输入和第二PMOS晶体管P2的漏极；第三反相器INV3的输出作为振荡器的输出，且接第四反相器INV4的输入和第二PMOS晶体管P2的栅极；第四反相器INV4的输出接第一NMOS晶体管N1的栅极；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，漏极接第二PMOS晶体管P2的源极；第一NMOS晶体管N1的源极接地。
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