[发明专利]一种振荡器电路

说明书

技术领域

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种振荡器电路。

背景技术

振荡器是一种能量转换装置，它的主要作用是将直流电能转换成具有一定频率的交流电能。

传统的振荡器电路如图1所示，包括：第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3和电容C1；第一反相器INV1的输入接振荡器的输出端U_OUT；第二反相器INV2的输入接第一反相器INV1的输出；第三反相器INV3的输入接第二反相器INV2的输出，输出接电容C1的一端及振荡器的输出U_OUT；电容C1的另一端接地。

传统的振荡器电路频率由简单的多级环路实现，在受到外部电磁干扰时的频率稳定度差。

发明内容

为解决现有振荡器在受到外部电磁干扰时的频率稳定度差的技术问题，本发明提供了一种稳定性好的振荡器电路。

一种振荡器电路，包括电流源I、电容C1、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2和第一NMOS晶体管N1；电流源I的一端接电源，另一端接第一反相器INV1的输入、电容C1的一端和第一NMOS晶体管N1的漏极；电容C1的另一端接地；第一反相器INV1的输出接第二反相器INV2的输入和第一PMOS晶体管P1的栅极；第二反相器INV2的输出接第三反相器INV3的输入和第二PMOS晶体管P2的漏极；第三反相器INV3的输出作为振荡器的输出，且接第四反相器INV4的输入和第二PMOS晶体管P2的栅极；第四反相器INV4的输出接第一NMOS晶体管N1的栅极；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，漏极接第二PMOS晶体管P2的源极；第一NMOS晶体管N1的源极接地。

本发明的振荡器结构引入了电流源和锁存电路，这大大提升了振荡器的抗电磁干扰能力，增强了频率稳定度。

附图说明

图1是传统振荡器的电路结构示意图；

图2是本发明实施方式提供的振荡器的电路结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。

为解决现有振荡器在受到外部电磁干扰时的频率稳定度差的技术问题，本发明提供了一种稳定性好的振荡器电路。如图2所示，一种振荡器电路，包括电流源I、电容C1、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2和第一NMOS晶体管N1；电流源I的一端接电源，另一端接第一反相器INV1的输入、电容C1的一端和第一NMOS晶体管N1的漏极；电容C1的另一端接地；第一反相器INV1的输出接第二反相器INV2的输入和第一PMOS晶体管P1的栅极；第二反相器INV2的输出接第三反相器INV3的输入和第二PMOS晶体管P2的漏极；第三反相器INV3的输出作为振荡器的输出，且接第四反相器INV4的输入和第二PMOS晶体管P2的栅极；第四反相器INV4的输出接第一NMOS晶体管N1的栅极；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，漏极接第二PMOS晶体管P2的源极；第一NMOS晶体管N1的源极接地。

本发明的振荡器电路中，第二反相器INV2、第二PMOS晶体管P2、第一PMOS晶体管P1构成一级锁存电路，第三反相器INV3、第二PMOS晶体管P2构成二级锁存电路，本发明的振荡器结构引入了电流源和两级锁存电路，这大大提升了振荡器的抗电磁干扰能力，增强了频率稳定度。

应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。