[发明专利]以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法在审
| 申请号： | 201710549648.8 | 申请日： | 2017-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN109216201A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 许诗滨;许哲玮;郭同尧 | 申请（专利权）人： | 恒劲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人： | 郑玉洁 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法，包括：提供集合载板；在集合载板上固定多个半导体晶粒，且半导体晶粒上具有金属电极垫与绝缘保护层，绝缘保护层暴露出金属电极垫；进行无电电镀工艺，以在金属电极垫上形成球底金属层；形成一介电层，覆盖于该集合载板、这些半导体晶粒与该球底金属层上；在该介电层中形成多个导通孔，这些导通孔暴露出该球底金属层；以及在该介电层的这些导通孔中形成多个金属凸块。本发明可简化半导体晶粒的电性连接加工工艺且易于实施，具有产出快且降低制造成本的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶粒 球底金属层 金属电极 导通孔 载板 绝缘保护层 集合 工艺制作 晶粒凸块 大板面 介电层 无电电镀工艺 电性连接 金属凸块 制造成本 暴露 电层 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法，其特征在于，包括：提供一集合载板与多个半导体晶粒，各半导体晶粒具有一主动面及相对于该主动面的一背面，各半导体晶粒的该主动面上具有多个金属电极垫与一绝缘保护层，且该绝缘保护层暴露出这些金属电极垫；把这些半导体晶粒的这些背面固定于该集合载板上；进行一无电电镀工艺，以在这些半导体晶粒的这些金属电极垫上形成一球底金属层；形成一介电层，覆盖于该集合载板、这些半导体晶粒与该球底金属层上；在该介电层中形成多个导通孔，这些导通孔暴露出该球底金属层；以及在该介电层的这些导通孔中形成多个金属凸块。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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