[发明专利]以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法

权利要求书

1.一种以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法，其特征在于，包括：

提供一集合载板与多个半导体晶粒，各半导体晶粒具有一主动面及相对于该主动面的一背面，各半导体晶粒的该主动面上具有多个金属电极垫与一绝缘保护层，且该绝缘保护层暴露出这些金属电极垫；

把这些半导体晶粒的这些背面固定于该集合载板上；

进行一无电电镀工艺，以在这些半导体晶粒的这些金属电极垫上形成一球底金属层；

形成一介电层，覆盖于该集合载板、这些半导体晶粒与该球底金属层上；

在该介电层中形成多个导通孔，这些导通孔暴露出该球底金属层；以及

在该介电层的这些导通孔中形成多个金属凸块。

2.如权利要求1所述的以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法，其特征在于，该无电电镀工艺包括一铜无电电镀工艺，各金属电极垫为一铜金属电极垫，该球底金属层为一铜金属层，由下而上的排列顺序分别是各铜金属电极垫、该铜金属层与各金属凸块。

3.如权利要求1所述的以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法，其特征在于，该无电电镀工艺包括一铜无电电镀工艺，各金属电极垫为一铝金属电极垫，该球底金属层为一铜金属层，由下而上的排列顺序分别是各铝金属电极垫、该铜金属层与各金属凸块。

4.如权利要求1所述的以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法，其特征在于，该无电电镀工艺包括一镍无电电镀工艺与一铜无电电镀工艺，各金属电极垫为一铝金属电极垫，该球底金属层包括一镍金属层与一铜金属层，由下而上的排列顺序分别是各铝金属电极垫、该镍金属层、该铜金属层与各金属凸块。

5.如权利要求1所述的以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法，其特征在于，该无电电镀工艺包括一第一黄金无电电镀工艺、一钯无电电镀工艺与一第二黄金无电电镀工艺，各金属电极垫为一铝金属电极垫，该球底金属层包括一第一黄金金属层、一钯金属层与一第二黄金金属层，由下而上的排列顺序分别是各铝金属电极垫、该第一黄金金属层、该钯金属层、该第二黄金金属层与各金属凸块。

6.如权利要求1所述的以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法，其特征在于，该介电层为一封胶材料层，而形成这些导通孔的步骤包括对该封胶材料层进行一镭射钻孔工艺。

7.如权利要求1所述的以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法，其特征在于，该介电层为一光阻层，而形成这些导通孔的步骤包括对该光阻层进行一曝光工艺与一显影工艺。

8.如权利要求1所述的以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法，其特征在于，还包括在该介电层上形成一图案化干膜，该图案化干膜包括多个干膜开口，以暴露出这些导通孔、该球底金属层与部分的该介电层。

9.如权利要求8所述的以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法，其特征在于，形成这些金属凸块的步骤包括在这些导通孔与这些干膜开口中形成这些金属凸块。

10.如权利要求1所述的以大板面工艺制作晶粒凸块结构的方法，其特征在于，还包括在这些金属凸块上形成一线路重布层，其中，该线路重布层通过这些金属凸块与该球底金属层而电性连接至这些半导体晶粒的这些金属电极垫上。