[发明专利]一种压控振荡器在审

专利信息
申请号: 201710548570.8 申请日: 2017-07-07
公开(公告)号: CN109217820A 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 于绍友 申请(专利权)人: 安徽爱科森齐微电子科技有限公司
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04;H03B5/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230088 安徽省合肥*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明是一种压控振荡器,包括MOS管Q1、MOS管Q2、电阻R1、电容C6和电容C7,其特征在于,所述MOS管Q1的源极连接MOS管Q2的源极和电源VDD,MOS管Q1的漏极连接电阻R1、电容C2、电容C4和MOS管Q3的漏极,电阻R1的另一端连接电容C1的另一端、电容C2、电容C6、电感L1、MOS管Q2的栅极和MOS管Q4的栅极,本发明中由于电路中接地电容和晶体管栅极和漏极之间电容的分压,使得振荡器中MOS晶体管工作于饱和区和截止区之间,不进入线性区,从而不会形成对谐振回路的负载;通过电容分压也可以将晶体管的输出电流噪声进行分流,降低晶体管噪声以及对电感电容谐振回路的贡献。
搜索关键词: 电容 漏极 压控振荡器 电阻 电感电容谐振回路 电感 晶体管噪声 晶体管栅极 电容分压 接地电容 连接电阻 输出电流 谐振回路 一端连接 源极连接 饱和区 截止区 晶体管 线性区 振荡器 分压 源极 噪声 电路 电源 分流
【主权项】:
1.一种压控振荡器,包括MOS管Q1、MOS管Q2、电阻R1、电容C6和电容C7,其特征在于,所述MOS管Q1的源极连接MOS管Q2的源极和电源VDD,MOS管Q1的漏极连接电阻R1、电容C2、电容C4和MOS管Q3的漏极,电阻R1的另一端连接电容C1的另一端、电容C2、电容C6、电感L1、MOS管Q2的栅极和MOS管Q4的栅极,电容C6的另一端连接电容C7,MOS管Q2的漏极连接电阻R2、电容C3、电容C5和MOS管Q4的漏极,电阻R2的另一端连接电容C3的另一端、电容C2的另一端、电容C7、电感L1的另一端、MOS管Q1的栅极和MOS管Q3的栅极,MOS管Q3的源极连接MOS管Q4的源极和地。
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