[发明专利]一种压控振荡器

说明书

本发明是一种压控振荡器，包括MOS管Q1、MOS管Q2、电阻R1、电容C6和电容C7，其特征在于，所述MOS管Q1的源极连接MOS管Q2的源极和电源VDD，MOS管Q1的漏极连接电阻R1、电容C2、电容C4和MOS管Q3的漏极，电阻R1的另一端连接电容C1的另一端、电容C2、电容C6、电感L1、MOS管Q2的栅极和MOS管Q4的栅极，本发明中由于电路中接地电容和晶体管栅极和漏极之间电容的分压，使得振荡器中MOS晶体管工作于饱和区和截止区之间，不进入线性区，从而不会形成对谐振回路的负载；通过电容分压也可以将晶体管的输出电流噪声进行分流，降低晶体管噪声以及对电感电容谐振回路的贡献。

技术领域

本发明涉及一种振荡器，具体为一种压控振荡器。

背景技术

压控振荡器（VCO）通过输入控制电压改变输出频率，用于产生频率可调的振荡频率，是射频和模拟集成电路领域中的基本单元。在压控振荡器的设计上，要求相位噪声尽可能低。

压控振荡器的相位噪声是由晶体管的噪声产生，降低晶体管对谐振回路的噪声贡献即可降低整体相位噪声，晶体管的噪声一般由热噪声和闪烁噪声构成，将晶体管的噪声通过电容进行滤波，可以有效降低噪声贡献。

发明内容

本发明的目的在于提供一种压控振荡器，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种压控振荡器，包括MOS管Q1、MOS管Q2、电阻R1、电容C6和电容C7，其特征在于，所述MOS管Q1的源极连接MOS管Q2的源极和电源VDD，MOS管Q1的漏极连接电阻R1、电容C2、电容C4和MOS管Q3的漏极，电阻R1的另一端连接电容C1的另一端、电容C2、电容C6、电感L1、MOS管Q2的栅极和MOS管Q4的栅极，电容C6的另一端连接电容C7，MOS管Q2的漏极连接电阻R2、电容C3、电容C5和MOS管Q4的漏极，电阻R2的另一端连接电容C3的另一端、电容C2的另一端、电容C7、电感L1的另一端、MOS管Q1的栅极和MOS管Q3的栅极，MOS管Q3的源极连接MOS管Q4的源极和地。

作为本发明的进一步技术方案：所述MOS管Q1和MOS管Q2为PMOS管，MOS管Q3和MOS管Q4为NMOS管。

作为本发明的进一步技术方案：所述电容C6和电容C7为可变电容。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明中由于电路中接地电容和晶体管栅极和漏极之间电容的分压，使得振荡器中MOS晶体管工作于饱和区和截止区之间，不进入线性区，从而不会形成对谐振回路的负载；通过电容分压也可以将晶体管的输出电流噪声进行分流，降低晶体管噪声以及对电感电容谐振回路的贡献。

附图说明

图1为本发明压控振荡器的电路图。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参阅图1；本发明实施例中，一种压控振荡器，包括MOS管Q1、MOS管Q2、电阻R1、电容C6和电容C7，其特征在于，所述MOS管Q1的源极连接MOS管Q2的源极和电源VDD，MOS管Q1的漏极连接电阻R1、电容C2、电容C4和MOS管Q3的漏极，电阻R1的另一端连接电容C1的另一端、电容C2、电容C6、电感L1、MOS管Q2的栅极和MOS管Q4的栅极，电容C6的另一端连接电容C7，MOS管Q2的漏极连接电阻R2、电容C3、电容C5和MOS管Q4的漏极，电阻R2的另一端连接电容C3的另一端、电容C2的另一端、电容C7、电感L1的另一端、MOS管Q1的栅极和MOS管Q3的栅极，MOS管Q3的源极连接MOS管Q4的源极和地。