[发明专利]一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法在审
| 申请号： | 201710545711.0 | 申请日： | 2017-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107759204A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李蔚;韩蕊;陈成 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法。其特点是以高纯Al2O3粉（Al2O3含量>99.95%）为主料加上Ta2O5掺杂剂（每100gAl2O3粉体原料中Ta2O5的掺杂量为0.5‑1.0g），球磨混和后利用干压成型制得素坯，然后放入电炉中，1550‑1650℃烧结2‑4h，即可得到致密Al2O3陶瓷。这种Al2O3陶瓷具有优良的微波介电性能，其介电常数为9.80‑9.85，而Q×f值可达184000‑209000GHz。经紫外灯直接辐照一段时间后，其介电常数和Q×f值都基本保持不变。本发明工艺简单，生产流程短，适合规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 辐照 低介电 损耗 al2o3 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法，其特征在于其工艺分为3个步骤：（1）以高纯Al2O3粉（Al2O3含量>99.95%）为主料，加入加上适量的Ta2O5掺杂剂；（2）将步骤（1）中的主料与掺杂剂在球磨机中加水球磨，干燥后过筛得到混合粉料；（3）将步骤（2）得到的粉料干压成型、烧制，即可得到所需的陶瓷样品。
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