[发明专利]一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法

权利要求书

1.一种抗紫外辐照低介电损耗Al₂O₃陶瓷及其制造方法，其特征在于其工艺分为3个步骤：

（1）以高纯Al₂O₃粉（Al₂O₃含量>99.95%）为主料，加入加上适量的Ta₂O₅掺杂剂；

（2）将步骤（1）中的主料与掺杂剂在球磨机中加水球磨，干燥后过筛得到混合粉料；

（3）将步骤（2）得到的粉料干压成型、烧制，即可得到所需的陶瓷样品。

2.根据权利要求1所述一种抗紫外辐照低介电损耗Al₂O₃陶瓷及其制造方法，其特征在于：步骤（2）中，主料与烧结助剂的配比为100：（0.5-1.0）（重量百分比），所述球磨时间为12-24h，球磨介质为氧化锆磨球和去离子水，料：水：球=1：2：3，干燥温度为100-120℃。

3.根据权利要求1所述一种抗紫外辐照低介电损耗Al₂O₃陶瓷及其制造方法，其特征在于：步骤（3）中，所述的干压压强为50-150MPa，样品烧结温度为1550-1650℃，升温速度为2-5℃/min，保温时间为2-5h。

4.根据权利要求1、2、3所述一种抗紫外辐照低介电损耗Al₂O₃陶瓷及其制造方法，其特征在于：按上述方式制备的Al₂O₃陶瓷具有优良的微波介电性能，其介电常数为9.80-9.85，而Q×f值可达184000-209000GHz，经紫外灯直接辐照一段时间后，其介电常数和Q×f值都基本保持不变。