[发明专利]一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法在审
申请号: | 201710545711.0 | 申请日: | 2017-07-06 |
公开(公告)号: | CN107759204A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 李蔚;韩蕊;陈成 | 申请(专利权)人: | 华东理工大学 |
主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/622 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200237*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紫外 辐照 低介电 损耗 al2o3 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
1.一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法,其特征在于其工艺分为3个步骤:
(1)以高纯Al2O3粉(Al2O3含量>99.95%)为主料,加入加上适量的Ta2O5掺杂剂;
(2)将步骤(1)中的主料与掺杂剂在球磨机中加水球磨,干燥后过筛得到混合粉料;
(3)将步骤(2)得到的粉料干压成型、烧制,即可得到所需的陶瓷样品。
2.根据权利要求1所述一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法,其特征在于:步骤(2)中,主料与烧结助剂的配比为100:(0.5-1.0)(重量百分比),所述球磨时间为12-24h,球磨介质为氧化锆磨球和去离子水,料:水:球=1:2:3,干燥温度为100-120℃。
3.根据权利要求1所述一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法,其特征在于:步骤(3)中,所述的干压压强为50-150MPa,样品烧结温度为1550-1650℃,升温速度为2-5℃/min,保温时间为2-5h。
4.根据权利要求1、2、3所述一种抗紫外辐照低介电损耗Al2O3陶瓷及其制造方法,其特征在于:按上述方式制备的Al2O3陶瓷具有优良的微波介电性能,其介电常数为9.80-9.85,而Q×f值可达184000-209000GHz,经紫外灯直接辐照一段时间后,其介电常数和Q×f值都基本保持不变。
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