[发明专利]一种抗辐照反熔丝PROM对SRAM型FPGA的加载电路在审
| 申请号： | 201710540979.5 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107506206A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 谢小东;孟欢 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F9/445 | 分类号： | G06F9/445;G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种抗辐照反熔丝PROM对SRAM型FPGA的加载电路，因现有配置芯片工作环境具有一定的局限性，引入一种抗辐照反熔丝PROM作为配置芯片结合存储器读数据的时序，分析了FPGA上电时的配置步骤和工作时序以及配置过程中各个关键信号的状态，论证了在比较恶劣的环境下，PROM可以稳定可靠地保存配置数据，并能正确实现对SRAM型FPGA的配置过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 反熔丝 prom sram fpga 加载 电路 | ||
【主权项】：
一种抗辐照反熔丝PROM对SRAM型FPGA的加载电路，包括由专用烧录器烧写配置数据模块和FPGA加载数据模块，其中：配置数据的烧写模块，是将实现一定功能的电路映射的bit数据，通过专用的烧录器，写入PROM存储器中。FPGA加载数据模块，在宇宙空间恶劣的环境下，将PROM中存有的数据在特定的加载时序下，读出送给FPGA并告知FPGA该电路利用了哪一部分的底层结构和相关资源以及连线信息。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710540979.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
