[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201710538052.8 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107452808B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 徐攀;林奕呈;盖翠丽;张保侠;李全虎;王玲 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L29/08;H01L27/12;H01L21/34;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 刘悦晗;姜春咸 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括：位于衬底基板上的源极、漏极、有源层和栅极，其中，源极与漏极同层设置，源极与有源层为薄膜晶体管中相邻两层结构，源极和漏极均与有源层连接，有源层背向衬底基板的一侧形成有栅绝缘层，栅极位于栅绝缘层背向衬底基板的一侧，栅极、源极、漏极在有源层上的正投影不重叠，有源层背向衬底基板的一侧未被栅极、源极和漏极所覆盖的区域被导体化。本发明的技术方案可在减小薄膜晶体管尺寸的同时有效避免寄生电容的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：位于衬底基板上的源极、漏极、有源层和栅极；所述源极与所述漏极同层设置，所述源极与所述有源层为所述薄膜晶体管中相邻两层结构，所述源极和所述漏极均与所述有源层连接，所述有源层的背向所述衬底基板的一侧形成有栅绝缘层，所述栅极位于所述栅绝缘层背向所述衬底基板的一侧；所述栅极、所述源极、所述漏极在所述有源层上的正投影不重叠，所述有源层背向所述衬底基板的一侧未被所述栅极、所述源极和所述漏极的所覆盖的区域被导体化。
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