[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板和位于衬底基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：位于衬底基板上的源极、漏极、有源层和栅极；

所述源极与所述漏极同层设置，所述源极与所述有源层为所述薄膜晶体管中相邻两层结构，所述源极和所述漏极均与所述有源层连接，所述有源层的背向所述衬底基板的一侧形成有栅绝缘层，所述栅极位于所述栅绝缘层背向所述衬底基板的一侧；

所述栅极、所述源极、所述漏极在所述有源层上的正投影不重叠，所述有源层背向所述衬底基板的一侧未被所述栅极、所述源极和所述漏极的所覆盖的区域被导体化；

所述栅极和所述源极位于所述有源层的相同侧；

还包括：位于所述薄膜晶体管背向所述衬底基板的一侧的钝化层和位于所述钝化层背向所述衬底基板的一侧的导电电极，所述钝化层上对应所述薄膜晶体管的漏极、栅极和栅线的区域形成有过孔，所述导电电极通过过孔与所述漏极连接；

阵列基板还包括栅线和数据线，栅线与栅极同层设置，数据线与源极同层设置，数据线直接与源极连接，栅线通过导电走线与所述栅极电连接，所述导电走线与导电电极同层设置；

所述栅绝缘层的图形与所述栅极和所述栅线二者所构成的图形相同，所述栅线和所述栅极之间形成有容纳空间，所述钝化层位于所述容纳空间的部分形成有凹槽；

所述导电走线填充所述凹槽，所述导电走线在所述凹槽所处区域的部分的厚度大于所述导电走线位于所述钝化层背向所述衬底基板一侧表面的部分的厚度。

2.一种显示装置，其特征在于，包括：如上述权利要求1所述的阵列基板。

3.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成源极、漏极、数据线和有源层，所述源极、所述漏极和所述数据线同层设置，所述源极与所述有源层为薄膜晶体管中相邻两层结构，所述源极和所述漏极均与所述有源层连接；

在所述有源层背向所述衬底基板的一侧形成栅绝缘层、栅极和栅线，所述栅极位于所述栅绝缘层背向所述衬底基板的一侧，所述栅极、所述源极、所述漏极在所述有源层上的正投影不重叠，所述栅绝缘层的图形与所述栅极和所述栅线二者所构成的图形相同，所述栅线和所述栅极之间形成有容纳空间；

对所述有源层上背向所述衬底基板的一侧未被所述栅极、所述源极和所述漏极所覆盖的区域进行导体化处理；

在薄膜晶体管背向衬底基板的一侧形成钝化层，

位于所述薄膜晶体管背向所述衬底基板的一侧的钝化层，所述钝化层上对应所述薄膜晶体管的漏极、栅极和栅线的区域形成有过孔，所述钝化层位于所述容纳空间的部分形成有凹槽；

在所述钝化层背向所述衬底基板的一侧形成同层设置的导电走线和导电电极，所述导电电极通过过孔与所述漏极连接，栅线通过导电走线与所述栅极电连接，所述导电走线填充所述凹槽，所述导电走线在所述凹槽所处区域的部分的厚度大于所述导电走线位于所述钝化层背向所述衬底基板一侧表面的部分的厚度；

其中，所述在衬底基板上形成源极、漏极、数据线和有源层的步骤包括：

在衬底基板上形成有源层材料薄膜；

对所述有源层材料薄膜进行构图工艺以得到有源层的图形；

对有源层背向所述衬底基板的一侧且未被后续形成源极和漏极所覆盖的区域进行激光晶化处理；

在有源层背向衬底基板的一侧形成导电材料薄膜；

对所述导电材料薄膜进行构图工艺以得到源极、漏极和数据线的图形。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述有源层背向所述衬底基板的一侧形成栅绝缘层、栅极和栅线的步骤包括：

在所述有源层的背向所述衬底基板的形成栅绝缘材料薄膜；

在所述栅绝缘材料薄膜背向所述衬底基板的一侧形成栅导电材料薄膜；

在所述栅导电材料薄膜背向所述衬底基板的一侧涂布光刻胶；

使用掩膜板对所述光刻胶进行曝光处理，并对曝光处理后的光刻胶进行显影处理，位于待形成栅极的区域的光刻胶完全保留；

分别对所述栅导电材料薄膜和栅绝缘材料薄膜进行刻蚀处理，以得到栅极的图形、栅线的图形和栅绝缘层的图形，所述栅极和所述栅线二者所构成的图形和栅绝缘层的图形相同。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源层的材料为金属氧化物半导体；

所述对所述有源层上背向所述衬底基板的一侧未被所述栅极、所述源极和所述漏极所覆盖的区域进行导体化处理的步骤具体包括：

对所述有源层上背向所述衬底基板的一侧未被所述栅极、所述源极和所述漏极所覆盖的区域进行脱氧处理，以使得对应位置的氧化物半导体导体化。