[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201710536682.1 | 申请日： | 2017-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN107195688A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 王珂;胡合合;卢鑫泓 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管包括有源层和设置在该有源层上，且与有源层直接接触的保护层，该保护层对应薄膜晶体管的沟道区；保护层为富氧的金属氧化物绝缘材料，且富氧的金属氧化物绝缘材料满足相对于有源层所采用的材料没有引入新的元素。本发明提供的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置的技术方案，可以在保护有源层不被源极/漏极的刻蚀液损伤的基础上，不会向有源层中引入新的元素，从而可以提高薄膜晶体管的特性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括有源层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层上，且与所述有源层直接接触的保护层，所述保护层对应所述薄膜晶体管的沟道区；所述保护层为富氧的金属氧化物绝缘材料，且所述富氧的金属氧化物绝缘材料满足：相对于所述有源层所采用的材料没有引入新的元素。
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