[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括有源层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设置在所述有源层上，且与所述有源层直接接触的保护层，所述保护层对应所述薄膜晶体管的沟道区；

所述保护层为富氧的金属氧化物绝缘材料，且所述富氧的金属氧化物绝缘材料满足：相对于所述有源层所采用的材料没有引入新的元素。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层所采用的材料为氧化物半导体材料。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体材料包括IGZO、ITZO或者IGZTO。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述富氧的金属氧化物绝缘材料包括Zn_xO_y；其中，y/x大于1。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述富氧的金属氧化物绝缘材料包括Sn_xO_y；其中，y/x大于2；或者，所述富氧的金属氧化物绝缘材料包括Ga_xO_y；其中，y/x大于3/2；或者，所述富氧的金属氧化物绝缘材料包括In_xO_y；其中，y/x大于2。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层的厚度为5～10nm。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层对应所述薄膜晶体管的沟道区以及位于所述沟道区两侧的欧姆接触区。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括依次设置的基板、栅极层、栅绝缘层、源极和漏极，其中，

所述有源层位于所述栅绝缘层之上；

所述源极和漏极分别包括设置在所述栅绝缘层上的本体，以及设置在所述有源层对应所述欧姆接触区的部分上的第一阶梯部，所述第一阶梯部与所述本体连为一体。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和漏极还分别包括设置在一部分所述保护层上的第二阶梯部，所述第二阶梯部与所述第一阶梯部连为一体。

10.一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：

形成有源层；

其特征在于，还包括：

在所述有源层上形成保护层，所述保护层与所述有源层直接接触，且对应所述薄膜晶体管的沟道区，并且所述保护层为富氧的金属氧化物绝缘材料，且所述富氧的金属氧化物绝缘材料满足：相对于所述有源层所采用的材料没有引入新的元素。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述形成有源层和所述在所述有源层上形成保护层进一步包括：

沉积整层的有源膜；

在所述整层的有源膜上沉积整层的保护膜；

对所述整层的有源膜和所述整层的保护膜进行图案化处理，以形成所述有源层和所述保护层；所述有源层对应所述薄膜晶体管的沟道区以及位于所述沟道区两侧的欧姆接触区；所述保护层对应所述薄膜晶体管的沟道区。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，采用一次构图工艺同时对所述整层的有源膜和所述整层的保护膜进行图案化处理。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述对所述整层的有源膜和所述整层的保护膜进行图案化处理进一步包括以下步骤：

在所述整层的保护膜上涂光刻胶层，采用多灰阶掩膜版对光刻胶层进行曝光，以在所述整层的保护膜上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括光刻胶完全保留区、光刻胶部分保留区和光刻胶去除区，其中所述光刻胶完全保留区对应所述薄膜晶体管的沟道区，所述光刻胶部分保留区对应所述薄膜晶体管的欧姆接触区，所述光刻胶去除区对应除所述欧姆接触区和所述沟道区的其他区域；

去除所述整层的有源膜和所述整层的保护膜中与光刻胶去除区对应的部分；

对所述光刻胶图案进行灰化处理，以去除所述光刻胶部分保留区的光刻胶，并减薄光刻胶完全保留区的光刻胶的厚度；

去除剩余的保护膜中与光刻胶部分保留区对应的部分。