[发明专利]一种基于桥接生长的纳米线器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710532974.8 | 申请日： | 2017-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN107331705B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;渠波;赵丹娜;吕瑞 | 申请（专利权）人： | 黄辉;渠波;赵丹娜 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L21/335;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 刘卓夫;李红 |
| 地址： | 116024 辽宁省大连市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于桥接生长的纳米线器件的制备方法包括以下步骤：在具有导电层的衬底上制备凹槽结构，并在凹槽侧壁生长纳米线，使纳米线桥接凹槽两侧的导电层，同时该生长过程也会在凹槽内产生沉积物；通过在凹槽结构内设置牺牲层或牺牲条，或，通过在凹槽结构的背部开设凹槽，以使凹槽结构两侧的沉积物相互隔绝，以消除纳米线生长过程中带来的沉积物问题，从而使得凹槽结构两侧的电互联仅取决于桥接纳米线。其有益效果是：本发明解决了桥接纳米线生长过程中凹槽内的沉积物问题，从而确保了凹槽两侧的电互联仅由桥接纳米线决定，消除了导电沉积物对纳米线器件的影响，提高了桥接纳米线器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 接生 纳米 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于桥接生长的纳米线器件，包括设置有凹槽结构的衬底、导电层和纳米线，其特征在于：所述导电层设置在所述凹槽结构的两侧，一侧壁上的导电层作为纳米线器件的源电极，另一侧壁上的导电层作为纳米线器件的漏电极，所述源电极与所述漏电极通过所述纳米线连接；所述凹槽结构的底部设置有牺牲层或牺牲条，或，所述凹槽结构的背部设置有贯穿衬底和沉积物的凹槽，使得所述凹槽结构两侧的沉积物相互隔绝。
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