[发明专利]一种基于桥接生长的纳米线器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于桥接生长的纳米线器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、在衬底的表面沉积导电层；

S2、通过化学刻蚀、激光烧蚀或机械切削的方法在具有导电层的绝缘衬底上制备穿透导电层的凹槽结构，以在凹槽结构的两侧形成相互绝缘的源电极和漏电极；

所述制备方法还包括以下步骤：

S3、在凹槽结构的底部设置牺牲层或牺牲条；

S4、在所述源电极和/或所述漏电极上附着催化剂颗粒，所述催化剂颗粒用于引导所述纳米线的生长；

S5、在所述源电极和/或所述漏电极侧壁上生长纳米线，所述纳米线与所述源电极和所述漏电极连接；

S6、去除设置在凹槽结构底部的牺牲层或牺牲条、以及沉积在牺牲层顶部或附着在牺牲条顶部的纳米线生长时形成的沉积物，使得凹槽两侧的纳米线生长时形成的沉积物隔绝开，以使所述凹槽结构两侧的电互联仅取决于桥接纳米线。

2.根据权利要求1所述的一种基于桥接生长的纳米线器件的制备方法，其特征在于：在S3中，若在凹槽结构的底部设置的是牺牲层，则需要在进行S4之前，将沉积在凹槽结构底部之外的牺牲层通过光刻或腐蚀的方式去除。

3.根据权利要求1所述的一种基于桥接生长的纳米线器件的制备方法，其特征在于：在S3中，若在凹槽结构的底部设置的是牺牲层，则在S6中，通过选择性化学腐蚀的方式去除凹槽结构底部的牺牲层，通过超声震动的方式去除凹槽结构顶部悬浮的沉积物；在S3中，若在凹槽结构的底部设置的是牺牲条，则在S6中，通过化学腐蚀或通过施加外力的方式直接抽取凹槽结构底部的牺牲条和附着在牺牲条顶部的沉积物。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种基于桥接生长的纳米线器件的制备方法，其特征在于：所述牺牲层选择能够被腐蚀且耐高温的材质。

5.根据权利要求4所述的一种基于桥接生长的纳米线器件的制备方法，其特征在于：所述牺牲层为氧化硅层。

6.根据权利要求1-3任一项所述的一种基于桥接生长的纳米线器件的制备方法，其特征在于：所述牺牲条为耐高温的材料。

7.根据权利要求6所述的一种基于桥接生长的纳米线器件的制备方法，其特征在于：所述牺牲条为石英纤维。

8.根据权利要求1-3任一项所述的一种基于桥接生长的纳米线器件的制备方法，其特征在于：所述催化剂颗粒是金、镍、铁、金镍合金、镓、铟、或者氮化镓中的一种或几种。