[发明专利]一种光电二极管、X射线探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种光电二极管、X射线探测器及其制备方法，属于半导体制造技术领域，其可解决现有的直接转化型X射线平板探测器的暗电流大，开关比低，器件电信号噪声大的问题。本发明的光电二极管包括多个结构层，其中在第二结构层与第四结构层分别掺杂不同的掺杂剂，其作用是提高光电二极管的转化效率，降低光电二极管暗电流，提高其开关比，实现对光电二极管性能的有效控制。本发明的光电二极管适用于各种X射线探测器。

主权项

一种光电二极管，其特征在于，包括：衬底；位于衬底之上的第一结构层；位于第一结构层之上的第二结构层，所述第二结构层具有第一掺杂剂；位于第二结构层之上的第三结构层；位于第三结构层上的第四结构层，所述第四结构层具有第二掺杂剂；一对电极，其中第一电极与所述第一结构层和第二结构层连接，且第二电极位于第四结构层之上。