[发明专利]一种光电二极管、X射线探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种光电二极管，其特征在于，包括：

衬底；

位于衬底之上的第一结构层；

位于第一结构层之上的第二结构层，所述第二结构层具有第一掺杂剂；

位于第二结构层之上的第三结构层；

位于第三结构层上的第四结构层，所述第四结构层具有第二掺杂剂；

一对电极，其中第一电极与所述第一结构层和第二结构层连接，且第二电极位于第四结构层之上。

2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第一掺杂剂为N型掺杂剂，所述第二掺杂为P型掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第一结构层、第二结构层、第三结构层、第四结构层的材料包括氮化镓。

4.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第一结构层的厚度为100-300nm；所述第二结构层的厚度为100-300nm，所述第三结构层的厚度为1000-2000nm，所述第四结构层的厚度为100-300nm。

5.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第一结构层与第二结构层的图形至衬底的正投影的面积相同，所述第三结构层与第四结构层的图形至衬底的正投影的面积相同，所述第三结构层的图形至衬底的正投影小于第二结构层的图形至衬底的正投影的面积，且落入第二结构层的图形至衬底的正投影的范围内。

6.一种X射线探测器，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的光电二极管；其中，所述衬底上还设有薄膜晶体管，所述第一电极作为所述薄膜晶体管的源漏极。

7.一种光电二极管的制备方法，其特征在于，包括在衬底上依次沉积形成第一结构层，掺杂第一掺杂剂的第二结构层，第三结构层，以及掺杂第二掺杂剂的第四结构层的步骤；

以及形成与所述第一结构层和第二结构层连接的第一电极的步骤，在第四结构层上形成第二电极的步骤。

8.根据权利要求7所述的光电二极管的制备方法，其特征在于，还包括形成所述第一结构层，第二结构层，第三结构层，以及第四结构层的图形的步骤。

9.一种X射线探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用权利要求7所述方法形成光电二极管；

再在所述衬底上形成薄膜晶体管。

10.根据权利要求9所述的X射线探测器的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极，其中，所述栅极与所述第二电极同层制备。