[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法有效
申请号: | 201710532708.5 | 申请日: | 2017-07-03 |
公开(公告)号: | CN107331715B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 王利忠;邸云萍;周天民 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0248 | 分类号: | H01L31/0248;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 林桐苒;李丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种太阳能电池及其制作方法,该太阳能电池制作方法包括:形成第一电极;在所述第一电极上形成包括掺杂的P型光响应型半导体和N型光响应型半导体的纳米线;在所述纳米线上方形成第二电极。本申请提供的方案,增加了光透过率、提高了太阳能的利用率,提高了载流子的迁移和分散速率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池制作方法,其特征在于,包括:形成第一电极;在所述第一电极上形成包括掺杂的P型光响应型半导体和N型光响应型半导体的纳米线;在所述纳米线上方形成第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的