[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池制作方法，其特征在于，包括：

形成第一电极；

在所述第一电极上形成包括掺杂的P型光响应型半导体和N型光响应型半导体的纳米线，包括：在所述第一电极上生长所述P型光响应型半导体的纳米线，在所述纳米线周围通过高温渗透方式掺杂所述N型光响应型半导体；或者，在所述第一电极上生长所述N型光响应型半导体的纳米线，在所述纳米线周围通过高温渗透方式掺杂所述P型光响应型半导体；其中，高温渗透是在500℃～700℃高温下渗透1小时～3小时；所述N型光响应型半导体为氮化镓，所述P型光响应型半导体为氧化锌；所述高温渗透方式包括：将氮化镓纳米线放于氧化锌粉末氛围中，或者将氧化锌纳米线放于氮化镓粉末氛围中；

在所述纳米线上方形成第二电极。

2.如权利要求1所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，所述在所述第一电极上生长纳米线通过如下方式之一：

分子束外延、化学气相沉积、原子层沉积、水热法。

3.如权利要求1或2所述的太阳能电池制作方法，其特征在于，所述第一电极为背电极，所述第二电极为前电极；或者，所述第一电极为前电极，所述第二电极为背电极。

4.一种采用如权利要求1至3任一所述的太阳能电池制作方法制作的太阳能电池，其特征在于，包括：第一电极、第二电极和位于所述第一电极和第二电极之间的包括掺杂的P型光响应型半导体和N型光响应型半导体的纳米线；所述纳米线为：P型光响应性半导体周围通过高温渗透方式掺杂N型光响应型半导体，或者，N型光响应性半导体周围通过高温渗透方式掺杂P型光响应型半导体；其中，高温渗透是在500℃～700℃高温下渗透1小时～3小时；所述N型光响应型半导体为氮化镓，所述P型光响应型半导体为氧化锌；所述高温渗透方式包括：将氮化镓纳米线放于氧化锌粉末氛围中，或者将氧化锌纳米线放于氮化镓粉末氛围中。