[发明专利]一种检测硅片表面氧化膜内金属离子含量的方法在审
| 申请号： | 201710526254.0 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107389663A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘九江;李诺;李仕权;张晋英;刘琦;张晋会;吕莹 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/73 | 分类号： | G01N21/73 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司12211 | 代理人： | 李纳 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明创造提供了一种检测硅片表面氧化膜内金属离子含量的方法，通过选取两片相同的测试样片，对其中一个样片表面做氧化处理得到表面覆盖有氧化膜的样片，检测两个样片表面金属离子的含量，通过两片样片的数据差得到氧化膜内金属离子含量。本发明创造所述的检测方法准确、有效，真正实现了氧化膜内金属离子全元素、超微量的精准测量，为降低整个生产过程中金属元素杂质的引入工艺技术提供科学的检测数据，满足了半导体制造期间厂商的需求，对提高产品出厂合格率，节约半导体元器件制造商的成本起到了积极作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 硅片 表面 氧化 金属 离子 含量 方法 | ||
【主权项】：
一种检测硅片表面氧化膜内金属离子含量的方法，其特征在于：所述方法是通过选取两片相同的测试样片，对其中一个样片表面做氧化处理得到表面覆盖有氧化膜的样片，检测两个样片表面金属离子的含量，通过两片样片的数据差得到氧化膜内金属离子含量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津中环领先材料技术有限公司，未经天津中环领先材料技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710526254.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
