[发明专利]一种检测硅片表面氧化膜内金属离子含量的方法在审
| 申请号： | 201710526254.0 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107389663A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘九江;李诺;李仕权;张晋英;刘琦;张晋会;吕莹 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/73 | 分类号： | G01N21/73 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司12211 | 代理人： | 李纳 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 硅片 表面 氧化 金属 离子 含量 方法 | ||
1.一种检测硅片表面氧化膜内金属离子含量的方法，其特征在于：所述方法是通过选取两片相同的测试样片，对其中一个样片表面做氧化处理得到表面覆盖有氧化膜的样片，检测两个样片表面金属离子的含量，通过两片样片的数据差得到氧化膜内金属离子含量。
2.根据权利要求1所述的一种检测硅片表面氧化膜内金属离子含量的方法，其特征在于：所述氧化膜为SiO2膜。
3.根据权利要求1或2所述的一种检测硅片表面氧化膜内金属离子含量的方法，其特征在于：采用VPD法对两个样片表面进行前处理，再配合ICPMS法检测两个样片表面金属离子的含量。
4.根据权利要求3所述的一种检测硅片表面氧化膜内金属离子含量的方法，其特征在于：对所述覆盖有氧化膜的样片表面进行VPD前处理的过程，包括如下步骤：(1)将所述覆盖有氧化膜的样片送入全自动VPD前处理设备的指定位置，通入O3和HF气雾对其进行VPD前处理，处理后等待扫描；(2)标准扫描液扫描过经VPD前处理的所述覆盖有氧化膜的样片表面；(3)收集扫描后的标准扫描液。
5.根据权利要求4所述的一种检测硅片表面氧化膜内金属离子含量的方法，其特征在于：对未做氧化处理的样片表面进行VPD前处理的过程，包括如下步骤：(1)将所述未做氧化处理的样片送入全自动VPD前处理设备的指定位置，通入HF气雾对其进行VPD前处理，处理后等待扫描；(2)标准扫描液扫描过经VPD前处理的所述未做氧化处理的样片表面；(3)收集扫描后的标准扫描液。
6.根据权利要求5所述的一种检测硅片表面氧化膜内金属离子含量的方法，其特征在于：将扫描过两个样片的标准扫描液分别进行ICPMS测试，得到的两个样片表面金属离子含量的数据。
7.根据权利要求4或5所述的一种检测硅片表面氧化膜内金属离子含量的方法，其特征在于：所述标准扫描液由质量百分浓度分别为0.264％的HF、11.42％的H2O2及88.316％的H2O组成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津中环领先材料技术有限公司，未经天津中环领先材料技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710526254.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
