[发明专利]闪存存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种闪存存储器及其制备方法。制备方法包括：在半导体衬底上依次形成浮栅氧化层、浮栅多晶层和阻挡层；依次刻蚀阻挡层、浮栅多晶层形成窗口，窗口延伸至浮栅多晶层内；对暴露在窗口区域的浮栅多晶层进行预处理，使浮栅多晶层向沿浮栅氧化层的方向凹陷，且凹陷的深度由所述窗口区域的中心位置向两侧边缘呈递减趋势；形成第一场氧化层，并填满位于浮栅多晶层内的窗口；刻蚀形成带有放电尖角的浮栅。上述方法通过对暴露在窗口区域的浮栅多晶层进行预处理，使暴露在外的浮栅多晶层的厚度呈中间位置低，而两侧边缘位置高的趋势，后续浮栅多晶层被氧化形成场氧化层，刻蚀形成的放电尖角较传统方法制备而成的放电尖角更为锐利。

主权项

1.一种闪存存储器的制备方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成浮栅氧化层、浮栅多晶层和阻挡层；依次刻蚀所述阻挡层、浮栅多晶层形成窗口，所述窗口延伸至所述浮栅多晶层内；对暴露在所述窗口区域的所述浮栅多晶层进行预处理，使所述浮栅多晶层向沿所述浮栅氧化层的方向凹陷，且所述凹陷的深度由所述窗口区域的中心位置向两侧边缘呈递减趋势；形成第一场氧化层，位于所述浮栅多晶层内的所述窗口；刻蚀形成带有放电尖角的浮栅。