[发明专利]闪存存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种闪存存储器的制备方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底上依次形成浮栅氧化层、浮栅多晶层和阻挡层；

依次刻蚀所述阻挡层、浮栅多晶层形成窗口，所述窗口延伸至所述浮栅多晶层内；

对暴露在所述窗口区域的所述浮栅多晶层进行预处理，使所述浮栅多晶层向沿所述浮栅氧化层的方向凹陷，且所述凹陷的深度由所述窗口区域的中心位置向两侧边缘呈递减趋势；其中，暴露在外的所述浮栅多晶层的凹陷面与所述窗口两侧边缘交点处的切线与水平线的夹角范围为10～15度；

形成第一场氧化层，位于所述浮栅多晶层内的所述窗口；

刻蚀形成带有放电尖角的浮栅。

2.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述对暴露在所述窗口区域的所述浮栅多晶层进行预处理，包括：

以所述阻挡层作为掩膜版，对所述窗口进行各向同性干法刻蚀。

3.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述对暴露在所述窗口区域的所述浮栅多晶层进行预处理，包括：

对暴露在所述窗口区域的所述浮栅多晶层采用炉管热氧化生成第二场氧化层；

对所述第二场氧化层进行湿法刻蚀。

4.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，暴露在外的所述浮栅多晶层的凹陷面为圆弧面。

5.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，暴露在外的所述浮栅多晶层的凹陷面由多个具有渐变趋势的平面或曲面构成。

6.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，所述放电尖角的范围为40～50度。

7.根据权利要求1所述的闪存存储器的制备方法，其特征在于，刻蚀形成带有放电尖角的浮栅，包括：

去除位于所述浮栅多晶层上方的所述阻挡层；

对位于所述窗口区域外的所述浮栅多晶层、浮栅氧化层进行刻蚀形成带有放电尖角的浮栅。

8.根据权利要求1所述的闪存存储器的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述半导体衬底，浮栅多晶层两侧以及场氧化层上形成隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层上形成选择栅。

9.一种闪存存储器，其特征在于，所述闪存存储器由如权利要求1～8任一项所述的闪存存储器的制作方法制得。