[发明专利]具有垂直沟道结构的半导体装置有效
| 申请号： | 201710523623.0 | 申请日： | 2017-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN109216368B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 崔钟允 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/27 | 分类号： | H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘美华;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种具有垂直沟道结构的半导体装置。所述半导体装置包括：基底；垂直沟道结构，包括在与基底的顶表面垂直的第一方向上顺序地形成在基底上的多个晶体管；多条导线，形成在垂直沟道结构上，在与基底的顶表面平行的第二方向上延伸，并且在与基底的顶表面平行且与第二方向垂直的第三方向上彼此分隔开；以及多个接触插塞，被构造为连接垂直沟道结构和多条导线，其中，多个接触插塞中的每个的上剖面具有在第三方向上的长度小于在第二方向上的长度的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 沟道 结构 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；垂直沟道结构，包括在与基底的顶表面垂直的第一方向上顺序地形成在基底上的多个晶体管；多条导线，形成在垂直沟道结构上，在与基底的顶表面平行的第二方向上延伸，并且在与基底的顶表面平行且与第二方向垂直的第三方向上彼此分隔开；以及多个接触插塞，被构造为连接垂直沟道结构和所述多条导线，其中，所述多个接触插塞中的每个的上剖面具有在第三方向上的长度小于在第二方向上的长度的形状。
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