[发明专利]具有垂直沟道结构的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底；

垂直沟道结构，包括在与基底的顶表面垂直的第一方向上顺序地形成在基底上的多个晶体管；

多条位线，形成在垂直沟道结构上，在与基底的顶表面平行的第二方向上延伸，并且在与基底的顶表面平行且与第二方向垂直的第三方向上彼此分隔开；

多条导线，形成在垂直沟道结构上，在第二方向上延伸，并且在第三方向上彼此分隔开；

多个位线接触件，将所述多条位线中的各条位线连接到所述多条导线中的各条导线；以及

多个接触插塞，被构造为连接垂直沟道结构和所述多条导线，

其中，所述多个接触插塞中的每个的上剖面具有在第三方向上的长度小于在第二方向上的长度的形状，

其中，所述多条导线中的每条的上表面和所述多个接触插塞中的每个的上表面处于在第一方向上距离基底相同的高度处。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个接触插塞中的每个的上剖面是具有平行于第二方向的长轴和平行于第三方向的短轴的椭圆形。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述多个接触插塞中的每个的剖面沿所述多个接触插塞中的每个的整个高度始终为椭圆形。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述多条导线中的每条和所述多个接触插塞中的每个包括相同的导电材料，

其中，所述多条导线中的每条和所述多个接触插塞中的每个在所述多条导线中的每条与所述多个接触插塞中的每个彼此接触的边界处不包括与导电材料不同的材料层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在第三方向上相邻的所述多条导线之间的间隙比所述多个接触插塞中的被所述多条导线中的一条导线沿第三方向间隔开的一对接触插塞之间的间隙窄。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，垂直沟道结构包括：

多个栅电极层，在第一方向上堆叠在基底上；

多个层间绝缘层，设置在多个栅电极层之间；

沟道区，在基底上沿着第一方向延伸，并且穿透多个栅电极层和多个层间绝缘层；以及

栅极绝缘层，位于沟道区与多个栅电极层之间。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，沟道区包括：

沟道层，具有拥有内部空间的环形柱形状；

填充绝缘层，被构造为填充沟道区的内部空间；以及

垫，形成在填充绝缘层上并且连接到所述多个接触插塞中的一个。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个接触插塞中的每个的上剖面是具有平行于第二方向的长边和平行于第三方向的短边的圆角矩形。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述多个接触插塞中的每个的剖面沿所述多个接触插塞中的每个的整个高度始终为具有圆角的矩形。