[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。该外延片包括衬底、缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、应力释放层、有源层和p型GaN层，应力释放层包括交替的In_xGa_(1‑x)N层和n型Al_yGa_(1‑y)N层，由于靠近n型GaN层的In_xGa_(1‑x)N层中In的组分含量小于靠近有源层的In_xGa_(1‑x)N层中的In的组分含量，应力释放层会使外延片的凹陷程度降低并出现较小程度的凸起，In_mGa_(1‑m)N阱层中的In的组分含量小于In_xGa_(1‑x)N层的组分含量，在生长有源层时有源层使外延片有向衬底一侧凹陷的趋势，与生长应力释放层后形成的凸起抵消，降低外延片的翘曲度。

主权项

1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、应力释放层、有源层和p型GaN层，其中，所述应力释放层包括交替层叠设置的多层In_xGa_(1‑x)N层和多层n型Al_yGa_(1‑y)N层，且所述多层In_xGa_(1‑x)N层中的In的组分含量逐层增加，所述有源层包括交替层叠设置的多层In_mGa_(1‑m)N阱层和多层GaN垒层，其中0<m<x＜1，0＜y＜0.5，所述多层n型Al_yGa_(1‑y)N层的Al的组分含量沿所述外延片的层叠方向变化。