[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、应力释放层、有源层和p型GaN层，其中，所述应力释放层包括交替层叠设置的多层In_xGa_(1-x)N层和多层n型Al_yGa_(1-y)N层，且所述多层In_xGa_(1-x)N层中的In的组分含量逐层增加，所述有源层包括交替层叠设置的多层In_mGa_(1-m)N阱层和多层GaN垒层，其中0<m<x＜1，0＜y＜0.5，所述多层n型Al_yGa_(1-y)N层的Al的组分含量沿所述外延片的层叠方向变化。

2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述In_xGa_(1-x)N层的厚度大于所述n型Al_yGa_(1-y)N层的厚度。

3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述In_xGa_(1-x)N层的厚度为30～100nm。

4.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，应力释放层的总厚度为300～500nm。

5.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述n型Al_yGa_(1-y)N层的掺杂浓度为1E19cm^-3～1E20cm^-3。

6.根据权利要求1或2所述的外延片，其特征在于，所述In_xGa_(1-x)N层和所述n型Al_yGa_(1-y)N层交替层叠的周期数为3～10。

7.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长缓冲层、u型GaN层、n型GaN层、应力释放层、有源层和p型GaN层，其中，所述应力释放层包括交替层叠设置的多层In_xGa_(1-x)N层和多层n型Al_yGa_(1-y)N层，且所述多层In_xGa_(1-x)N层中的In的组分含量逐层增加，所述有源层包括交替层叠设置的多层In_mGa_(1-m)N阱层和多层GaN垒层，其中0<m<x＜1，0＜y＜0.5，所述多层n型Al_yGa_(1-y)N层的Al的组分含量沿所述外延片的层叠方向变化。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述应力释放层的生长温度为800℃～900℃。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述应力释放层的生长压力为300～400mbar。