[发明专利]半导体开关控制装置有效

专利信息
申请号: 201710516844.5 申请日: 2017-06-29
公开(公告)号: CN107565518B 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 森本充晃;大石英一郎 申请(专利权)人: 矢崎总业株式会社
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20;H02H1/00
代理公司: 北京奉思知识产权代理有限公司 11464 代理人: 吴立;邹轶鲛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种能够准确判定半导体开关的温度状态的半导体开关控制装置。半导体开关控制装置(1)的FET(12)与FET(11)相邻配置,源极端子彼此串联连接,FET(12)的漏极端子与高电压电池(3)连接,FET(11)的漏极端子与高电压负载(2)连接。而且,控制部(50)基于FET(12)的体二极管(D2)的正向电压Vfa,判定包含FET(11)的负侧主继电器(10B)的温度状态。
搜索关键词: 半导体 开关 控制 装置
【主权项】:
1.一种半导体开关控制装置,其特征在于,包括:半导体开关模块,设置在电源和负载之间,将在所述电源与所述负载之间流动的电流接通或者断开;控制部,控制所述半导体开关模块,所述半导体开关模块具有:正向开关,在所述电流流动的方向即正向配置有体二极管;反向开关,与所述正向开关相邻配置,在与所述电流流动的方向相反方向配置有体二极管,所述正向开关与所述反向开关的源极端子彼此串联连接,一者的漏极端子与所述电源连接,另一者的漏极端子与所述负载连接;或者所述正向开关与所述反向开关的漏极端子彼此串联连接,一者的源极端子与所述电源连接,另一者的源极端子与所述负载连接,所述控制部将所述反向开关设定为接通并且将所述正向开关设定为断开,基于所述正向开关的所述体二极管的正向电压,判定所述半导体开关模块的温度状态。
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