[发明专利]InP/GaP/ZnS核壳量子点及其制备方法有效
| 申请号： | 201710516796.X | 申请日： | 2017-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107338048B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 白杰;恒蔚宏 | 申请（专利权）人： | 深圳天吉新创科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/70 | 分类号： | C09K11/70;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 尹均利 |
| 地址： | 518108 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种InP/GaP/ZnS核壳量子点的制备方法，包括如下步骤：将铟前驱体、镓前驱体和锌前驱体溶解于有机溶剂，得到铟镓锌混合前驱体溶液；将磷前驱体加入所述铟镓锌混合前驱体溶液中，反应后得到InP/GaP:Zn量子点核溶液；向所述InP/GaP:Zn量子点核溶液中间隔多次加入壳层材料进行反应，所述壳层材料为锌盐溶液和硫醇的混合溶液，得到所述InP/GaP/ZnS核壳量子点。本发明的制备方法合成工艺简单，量子产量达60％‑90％，荧光波长范围覆盖510‑650nm。本发明制备的InP/GaP/ZnS核壳量子点的壳层厚度较厚、稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | inp gap zns 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种InP/GaP/ZnS核壳量子点的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将铟前驱体、镓前驱体和锌前驱体溶解于有机溶剂，得到铟镓锌混合前驱体溶液；将磷前驱体加入所述铟镓锌混合前驱体溶液中，反应后得到InP/GaP:Zn量子点核溶液；向所述InP/GaP:Zn量子点核溶液中间隔多次加入壳层材料进行反应，所述壳层材料为锌盐溶液和硫醇的混合溶液，得到所述InP/GaP/ZnS核壳量子点。
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