[发明专利]一种二类超晶格红外探测器件材料的制备方法

摘要

本发明提供了一种二类超晶格红外探测器件材料的制备方法，包括：1)提供供体衬底，在所述供体衬底上外延生长GaSb缓冲层；2)在所述GaSb缓冲层上生长AlSb牺牲层；3)在所述AlSb牺牲层上生长顶层GaSb或InAs薄膜；4)在所述AlSb牺牲层内形成缺陷层；5)将顶层GaSb或InAs薄膜与受体衬底正面键合；6)对键合结构进行退火处理，将顶层GaSb或InAs薄膜沿AlSb牺牲层从供体衬底剥离，得到剥离后的含GaSb或InAs薄膜的第二衬底；7)对第二衬底的表面进行腐蚀处理得到GaSb或InAs薄膜柔性衬底。本发明还公开了一种红外探测器件。本发明不仅进一步简化器件工艺，而且避免了后期减薄工艺带来的表面和机械损伤，大大降低成本。

主权项

一种二类超晶格红外探测器件材料的制备方法，包括：1)提供供体衬底，在所述供体衬底上外延生长GaSb缓冲层；2)在所述GaSb缓冲层上生长AlSb牺牲层；3)在所述AlSb牺牲层上生长半导体薄膜；4)在所述AlSb牺牲层内形成缺陷层；5)将半导体薄膜与受体衬底正面键合；6)对键合结构进行退火处理，将半导体薄膜沿AlSb牺牲层从供体衬底剥离，得到剥离后的含GaSb缓冲层的第一衬底和含受体衬底和半导体薄膜的第二衬底；7)对第二衬底的表面进行腐蚀处理得到半导体薄膜与受体衬底一起构成的柔性衬底。