[发明专利]一种二类超晶格红外探测器件材料的制备方法

权利要求书

1.一种二类超晶格红外探测器件材料的制备方法，包括：

1)提供供体衬底，在所述供体衬底上外延生长GaSb缓冲层；

2)在所述GaSb缓冲层上生长AlSb牺牲层；

3)在所述AlSb牺牲层上生长顶层GaSb或InAs薄膜；

4)在所述AlSb牺牲层内形成缺陷层；

5)将顶层GaSb或InAs薄膜与受体衬底正面键合；

6)对键合结构进行退火处理，将顶层GaSb或InAs薄膜沿AlSb牺牲层从供体衬底剥离，得到剥离后的含GaSb缓冲层的第一衬底和含受体衬底和顶层GaSb或InAs薄膜的第二衬底；

7)对第二衬底的表面进行腐蚀处理得到顶层GaSb或InAs薄膜与受体衬底一起构成的柔性衬底；

所述二类超晶格红外探测器件材料为InAs、GaSb、AlSb以及它们的三元化合物；

所述供体衬底为GaSb衬底、InAs衬底或回收衬底，所述回收衬底为对第一衬底中的AlSb牺牲层进行表面腐蚀处理后得到的包含GaSb缓冲层的供体衬底；

所述GaSb缓冲层厚度为100nm-1000nm之间；

所述的退火温度在150～300℃之间；

所述步骤4)缺陷层的形成通过离子注入形成，所述的离子注入深度大于顶层GaSb或InAs薄膜的厚度，小于顶层GaSb或InAs薄膜的厚度与AlSb牺牲层厚度的总和；

所述腐蚀处理过程为室温环境下自然氧化或化学方法刻蚀。

2.根据权利要求1所述二类超晶格红外探测器件材料的制备方法，其特征在于，所述受体衬底为对红外探测器接收波段透过率高于40％的衬底。

3.根据权利要求1所述二类超晶格红外探测器件材料的制备方法，其特征在于，所述GaSb缓冲层、AlSb牺牲层和顶层GaSb或InAs薄膜通过分子束外延或金属有机化学气相沉积法生长。

4.根据权利要求1所述二类超晶格红外探测器件材料的制备方法，其特征在于：所述二类超晶格红外探测器件材料包括InAs、GaSb、AlSb以及它们的三元化合物。

5.根据权利要求1所述的二类超晶格红外探测器件材料的制备方法，其特征在于：GaSb缓冲层、AlSb牺牲层、顶层GaSb或InAs薄膜和二类超晶格红外探测器结构的外延生长方法包括分子束外延、化学气相沉积及液相外延法。