[发明专利]一种碳化硅功率器件终端结构有效
| 申请号： | 201710508421.9 | 申请日： | 2017-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN107123669B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 张有润;王文;郭飞;钟晓康;刘程嗣;刘凯;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构，包括从下至上依次层叠设置的阴极、N+衬底、N缓冲层、N‑漂移区、阶梯形的P型区、阳极；P型区通过两次干法刻蚀形成两区刻蚀型JTE；N |
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| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种碳化硅功率器件终端结构，包括从下至上依次层叠设置的阴极(8)、N+衬底(7)、N缓冲层(6)、N—漂移区(5)、阶梯形的P型区(2)、阳极(1)；所述P型区(2)通过两次干法刻蚀形成两区刻蚀型JTE；其特征在于：N—漂移区(5)内部上方设有P型离子注入区(3)，P型离子注入区(3)的注入左边界与P型区(2)的两区刻蚀JTE左边界(10)重合，两区刻蚀JTE左边界(10)为P型区(2)左侧第一个台面的左边缘，P型离子注入区(3)的右边界位于P型离子注入环(4)的左侧，终端结构末端以P型离子注入环(4)结束，所述P型离子注入环(4)至少为3个，P型离子注入区(3)与P型离子注入环(4)通过一次P型离子注入同时实现；SiO2钝化层(9)位于P型区(2)、P型离子注入区(3)、P型离子注入环(4)与N—漂移区(5)的上方。
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