[发明专利]一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种提高光吸收率的量子阱红外探测器及其制造方法，所述探测器包括衬底、量子阱单元、上电极、上电极欧姆接触层、介质层、下电极和下电极欧姆接触层，所述衬底表面含有竖直的凸起物，所述下电极位于下电极欧姆接触层的上方，且下电极周边为介质层，所述量子阱单元采用外延生长法沉积在所述衬底表面下电极和介质层之外的区域，位于衬底表面凸起物上的量子阱单元为多面体，所述上电极通过上电极欧姆接触层和量子阱单元的最下层连接，其中，欧姆接触层通过离子注入工艺形成。本发明提供的一种提高光吸收率的量子阱红外探测器具有多个吸收面，有效地提高了量子阱红外探测器的吸收效率。

主权项

1.一种提高光吸收率的量子阱红外探测器，其特征在于，包括硅衬底、量子阱单元、上电极、上电极欧姆接触层、介质层、下电极和下电极欧姆接触层，所述硅衬底表面含有竖直的凸起物，含有竖直凸起物的硅衬底表面通过离子注入形成下电极欧姆接触层，所述下电极位于下电极欧姆接触层的上方，且下电极周边为介质层，所述量子阱单元采用外延生长法沉积在所述硅衬底表面下电极和介质层之外的区域，位于硅衬底表面的凸起物和硅衬底平面上对应的晶面不同，在所述硅衬底表面凸起物上外延生长多面体的量子阱单元，且所述量子阱单元的水平截面面积大于所述凸起物的水平截面面积，所述上电极欧姆接触层位于所述量子阱单元的最上层中，且所述上电极欧姆接触层上方为上电极，所述下电极通过下电极欧姆接触层和量子阱单元的最下层连接。