[发明专利]功率半导体器件的3D‑RESURF终端结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201710495729.4 | 申请日： | 2017-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107316896A | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 任敏;谢驰;苏志恒;林育赐;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 敖欢,葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体器件的3D‑RESURF终端结构及其制造方法，包括金属化阴极、第一导电类型重掺杂半导体衬底、第一导电类型轻掺杂漂移区、场氧化层、第二导电类型半导体主结、第一导电类型重掺杂截止环；位于所述第二导电类型半导体主结与第一导电类型半导体截止环之间的是第二导电类型半导体RESURF层；第二导电类型半导体RESURF层上方为第一导电类型半导体漂移区；本发明第二导电类型半导体主结旁边的第二导电类型半导体轻掺杂RESURF层与其上方的第一导电类型半导体漂移区相互耗尽，形成空间电荷区，引入y方向和z方向上的电场，改变x方向的电场分布，使x方向的表面电场由三角形分布变为近似梯形的分布，电场峰值降低，击穿电压得以提升。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 resurf 终端 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件的3D‑RESURF终端结构，其特征在于：从下至上依次包括金属化阴极(1)、金属化阴极(1)上方的第一导电类型重掺杂半导体衬底(2)、第一导电类型重掺杂半导体衬底(2)上方的第一导电类型轻掺杂漂移区(3)；所述第一导电类型轻掺杂漂移区(3)上表面为场氧化层(9)；所述第一导电类型轻掺杂漂移区(3)内部左上部分为第二导电类型半导体主结(6)；所述第二导电类型半导体主结(6)上表面与金属化阳极(8)连接；所述第一导电类型轻掺杂漂移区(3)内部右上部分是第一导电类型重掺杂截止环(7)；位于所述第二导电类型半导体主结(6)与第一导电类型半导体截止环(7)之间的是第二导电类型半导体RESURF层(4)；所述第二导电类型半导体RESURF层(4)上方为第一导电类型半导体漂移区(5)。
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