[发明专利]经边缘放置误差预测的光致抗蚀剂设计布局图案邻近校正

摘要

本发明涉及经边缘放置误差预测的光致抗蚀剂设计布局图案邻近校正。公开了为待在蚀刻操作中使用的光致抗蚀剂产生邻近校正设计布局的方法。所述方法可以包括识别初始设计布局中的特征，以及估计在蚀刻工艺期间在所述特征内的特征内等离子体通量(IFPF)的一个或多个数量特性。所述方法还可以包括通过将所述IFPF的所述一个或多个估计的数量特性与查找表(LUT，和/或通过用所述LUT训练的多变量模型的应用，例如通过机器学习方法(MLM)构建的)中的那些进行比较来估计所述特征的边缘放置误差(EPE)的数量特性，所述LUT将所述EPE的数量特性的值与所述IFPF的所述一个或多个数量特性的值相关联。此后，根据EPE的所确定的数量特性修正所述初始设计布局。

主权项

一种为待在蚀刻操作中使用的光致抗蚀剂产生邻近校正设计布局的方法，所述方法包括：(a)接收初始设计布局；(b)识别所述初始设计布局中的特征，所述特征的图案对应于将通过基于等离子体的蚀刻工艺蚀刻到在半导体衬底的表面上的材料堆叠中的特征，当所述堆叠用与所述设计布局相对应的光致抗蚀剂图案层覆盖时，该基于等离子体的蚀刻工艺在成组的工艺条件下在处理室内执行；(c)估计在这样的基于等离子体的蚀刻工艺期间在时间t时在所述特征内的特征内等离子体通量(IFPF)的一个或多个数量特性；(d)通过将(c)中所估计的所述IFPF的所述一个或多个数量特性与查找表(LUT)中的那些进行比较来估计所述特征的所述边缘的在时间t时的边缘放置误差(EPE)的数量特性，所述LUT将在时间t时的EPE的所述数量特性的值与所述IFPF的所述一个或多个数量特性的值相关联；以及(e)根据EPE的所述数量特性修正所述初始设计布局；其中所述LUT是在所述成组的工艺条件下通过对覆盖在所述材料堆叠上的光致抗蚀剂的校准图案运行计算机化的蚀刻轮廓模型(EPM)至少至时间t来构建的。