[发明专利]经边缘放置误差预测的光致抗蚀剂设计布局图案邻近校正

权利要求书

1.一种为待在蚀刻操作中使用的光致抗蚀剂产生邻近校正设计布局的方法，所述方法包括：

(a)接收初始设计布局；

(b)识别所述初始设计布局中的特征，所述特征的图案对应于将通过基于等离子体的蚀刻工艺蚀刻到在半导体衬底的表面上的材料堆叠中的特征，当所述材料堆叠用与所述初始设计布局相对应的光致抗蚀剂图案层覆盖时，该基于等离子体的蚀刻工艺在成组的工艺条件下在处理室内执行；

(c)估计在这样的基于等离子体的蚀刻工艺期间在时间t时在所述特征内的特征内等离子体通量的一个或多个数量特性；

(d)通过将(c)中所估计的所述特征内等离子体通量的所述一个或多个数量特性与查找表中的那些进行比较来估计所述特征的边缘的在时间t时的边缘放置误差的数量特性，所述查找表将在时间t时的边缘放置误差的所述数量特性的值与所述特征内等离子体通量的所述一个或多个数量特性的值相关联；以及(e)根据边缘放置误差的所述数量特性修正所述初始设计布局；

其中所述查找表是在所述成组的工艺条件下通过对覆盖在所述材料堆叠上的光致抗蚀剂的校准图案运行计算机化的蚀刻轮廓模型至少至时间t来构建的。

2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：

-对于图案是在所述初始设计布局内的一个或多个附加特征，重复(b)到(d)；并且

其中在(e)中修正所述初始设计布局进一步基于所述一个或多个附加特征的边缘放置误差的所估计的所述数量特性。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中在(c)中所述特征内等离子体通量的所述一个或多个数量特性包括：

特征内等离子体离子通量的数量特性；和

特征内等离子体中性物通量的数量特性。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述特征内等离子体中性物通量的数量特性是在所述特征之上的所加载的考虑了所述衬底存在于所述处理室中的等离子体通量。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在(c)中基于所述处理室中的远场全局等离子体通量的一个或多个数量特性来估计所述所加载的等离子体通量。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述远场全局等离子体通量的一个或多个数量特性是用计算机化的等离子体模型来计算的，该等离子体模型考虑了处理室的条件，但不考虑所述衬底存在于所述处理室内。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，在(c)中基于与所述特征相对应的可见度核来估计所述特征内等离子体离子通量的数量特性。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述特征内等离子体离子通量的所述数量特性通过包含以下步骤的过程来计算：使用与所述特征上的一个或多个等离子体离子通量相对应的离子能量角分布函数来估计所述可见度核的积分。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述离子能量角分布函数是基于所述处理室中的远场全局等离子体通量的一个或多个数量特性来估计的，所述远场全局等离子体通量是用考虑了处理室条件的计算机等离子体模型来计算的。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在(c)中，通过假设所述特征具有对应于光致抗蚀剂的所述初始设计布局的开口并且具有从所述开口的边缘向下延伸的基本上竖直的侧壁来估计所述可见度核。

11.根据权利要求10所述的方法，其还包括：

(c')基于在(d)中估计的所述边缘放置误差重新估计所述特征的所述可见度核；

(d')通过将(c')中重新估计的所述可见度核的值与所述查找表中的那些进行比较，重新估计在时间t的所述边缘放置误差的数量特性；以及

其中在(e)中进一步基于来自(d')的在时间t的所述边缘放置误差的数量特性的所重新估计的值来修正所述初始设计布局。