[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201710474001.3 申请日: 2017-06-21
公开(公告)号: CN107527872A 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 谷直树 申请(专利权)人: 株式会社捷太格特
主分类号: H01L23/24 分类号: H01L23/24;H01L23/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 李洋,苏琳琳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置(100)具备半导体元件(1)、电路基板(2)、金属布线(3A~3F)以及膨胀部件(5)。电路基板(2)具有上表面(21)和与上表面(21)对置的下表面(22)。金属布线(3A~3F)形成在上表面(21)以及下表面(22)中的至少一方。在半导体元件(1)中,至少两个连接端子形成在以与电路基板(2)的上表面(21)对置的方式配置的端子形成面(13)。膨胀部件(5)固定于半导体元件(1)的端子形成面(13),具有比半导体元件(1)的线膨胀系数大的线膨胀系数,具有比至少两个连接端子中的相互相邻的两个连接端子的间隔大的尺寸。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:电路基板,具有第一面和与所述第一面对置的第二面;至少两个金属布线,形成在所述第一面以及所述第二面中的至少一方;半导体元件,在以与所述第一面对置的方式配置的端子形成面形成有至少两个连接端子;焊料,将所述至少两个连接端子的各个与所述至少两个金属布线的各个电连接;以及膨胀部件,固定在所述半导体元件的所述端子形成面,具有比所述半导体元件的线膨胀系数大的线膨胀系数,具有比所述至少两个连接端子中的相互相邻的两个连接端子的间隔大的尺寸。
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