[发明专利]一种基于多孔阳极氧化铝模板的纳米光电器件制备方法

摘要

本发明主要属于纳米光电器件制备领域，具体涉及一种基于多孔阳极氧化铝模板的纳米光电器件制备方法。通过人工方法生成纳米孔阵列阳极氧化铝膜；利用铝箔和平整基底做支撑，将制备好的多孔阳极氧化铝模板转移到光电器件上得到样片；采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；利用物理或者化学方法去除多孔阳极氧化铝模板，在光电器件上得到纳米阵列结构。本发明通过人工低成本获得的多孔阳极氧化铝膜做模板，采用纳米加工技术，制备大面积的均匀纳米孔、纳米点、纳米柱和纳米圆台阵列，从而获得纳米结构光电器件。

主权项

1.一种基于多孔阳极氧化铝模板的纳米光电器件制备方法，其特征在于，所述方法：所述多孔阳极氧化铝模板通过在支撑层上利用两步阳极氧化电化学法获得；利用支撑层支撑性将多孔阳极氧化铝模板转移到光电器件上得到样片；采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；利用物理或者化学方法去除多孔阳极氧化铝膜，在光电器件上得到纳米阵列结构；所述多孔阳极氧化铝模板的制备方法具体为：(1)以金属铝箔为基底，通过物理机械抛光、清洗和电化学抛光，得到表面平整的铝箔；(2)采用电化学阳极氧化法进行第一次阳极氧化，在铝箔表面制备多孔氧化铝薄膜；(3)去除多孔氧化铝薄膜，得到表面有化学刻蚀凹痕的铝箔样片；(4)进行第二次阳极氧化，在表面有化学刻蚀凹痕的铝箔样片上制备多孔氧化铝薄膜；(5)在第二次阳极氧化后的样片上旋涂有机层，得到有机层/多孔氧化铝薄膜/铝箔结构；(6)将整个结构倒置放在平整基底包括但不限于硅片上；去除铝箔基底；打通氧化铝孔道和扩大孔道得到多孔阳极氧化铝膜。