[发明专利]一种基于多孔阳极氧化铝模板的纳米光电器件制备方法

权利要求书

1.一种基于多孔阳极氧化铝模板的纳米光电器件制备方法，其特征在于，所述方法：

所述多孔阳极氧化铝模板通过在支撑层上利用两步阳极氧化电化学法获得；

利用支撑层支撑性将多孔阳极氧化铝模板转移到光电器件上得到样片；

采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；

利用物理或者化学方法去除多孔阳极氧化铝膜，在光电器件上得到纳米阵列结构；

所述多孔阳极氧化铝模板的制备方法具体为：

(1)以金属铝箔为基底，通过物理机械抛光、清洗和电化学抛光，得到表面平整的铝箔；

(2)采用电化学阳极氧化法进行第一次阳极氧化，在铝箔表面制备多孔氧化铝薄膜；

(3)去除多孔氧化铝薄膜，得到表面有化学刻蚀凹痕的铝箔样片；

(4)进行第二次阳极氧化，在表面有化学刻蚀凹痕的铝箔样片上制备多孔氧化铝薄膜；

(5)在第二次阳极氧化后的样片上旋涂有机层，得到有机层/多孔氧化铝薄膜/铝箔结构；

(6)将整个结构倒置放在平整基底包括但不限于硅片上；去除铝箔基底；打通氧化铝孔道和扩大孔道得到多孔阳极氧化铝膜。

2.如权利要求1的制备方法，其特征在于，多孔阳极氧化铝膜为具有纳米孔阵列的模板，对样片进行刻蚀后除去所述多孔阳极氧化铝膜，在光电器件得到纳米孔阵列结构。

3.如权利要求1的制备方法，其特征在于，多孔阳极氧化铝膜为具有纳米孔阵列的模板，对样片进行表面沉积获得纳米点阵列后除去多孔阳极氧化铝膜，在光电器件得到纳米点阵列结构。

4.如权利要求3的制备方法，其特征在于，所述沉积方法采用真空热蒸发、直流溅射、磁控溅射法、射频溅射、脉冲激光沉积、分子束外延生长法、等离子增强化学气相沉积或化学镀中的任一种。

5.如权利要求3的制备方法，其特征在于，以纳米点阵列结构为掩膜，刻蚀表面有纳米点阵列结构的光电器件，去除纳米点阵列结构得到表面为纳米柱或纳米圆台阵列结构的光电器件，所述纳米柱或纳米圆台阵列结构通过调节刻蚀时间来获得。

6.如权利要求1的制备方法，其特征在于，所述多孔阳极氧化铝膜的纳米孔径范围为1nm～1000nm，膜厚度范围50nm～10μm。

7.如权利要求1-6任一所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀选择电感耦合等离子体刻蚀或者反应离子束刻蚀。

8.如权利要求1-6任一所述的制备方法，其特征在于，所述光电器件为但不限于半导体发光二极管、激光器或超辐射发光二极管。