[发明专利]一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法

摘要

本发明主要属于纳米光电器件制备领域，具体涉及一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法。通过人工生成的纳米孔阵列膜(支撑层)制备获得纳米筛掩模；将制备好的纳米筛掩模转移到光电器件上得到样片；采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；利用物理或者化学方法去除纳米筛掩模，在光电器件上得到纳米阵列结构。本发明通过人工低成本获得的纳米筛做掩模，采用纳米加工技术，制备大面积的均匀纳米孔、纳米点、纳米柱和纳米圆台阵列，从而获得纳米结构光电器件。该技术的发现与突破，将使得大面积、低成本制备半导体表面有序纳米结构阵列成为可能，对推动纳米结构半导体器件的应用意义重大。

主权项

1.一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法，其特征在于，所述方法：所述纳米筛掩模包括支撑层和掩模层；将纳米筛掩模转移到光电器件上，掩模层与光电器件接触，去除支撑层得到样片；采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；利用物理或者化学方法去除掩模层，在光电器件上得到纳米阵列结构；所述支撑层为人工生成纳米孔阵列膜，用于提高纳米筛掩模的支撑性，便于实现在大面积器件上制备纳米阵列；所述掩模层通过在支撑层表面上采用表面物理或化学沉积方法得到，所述掩模层的结构与支撑层的表面结构相同。