[发明专利]一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法

权利要求书

1.一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法，其特征在于，

所述方法：

所述纳米筛掩模包括支撑层和掩模层；

将纳米筛掩模转移到光电器件上，掩模层与光电器件接触，去除支撑层得到样片；

采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；

利用物理或者化学方法去除掩模层，在光电器件上得到纳米阵列结构；

所述支撑层为人工生成纳米孔阵列膜，用于提高纳米筛掩模的支撑性，便于实现在大面积器件上制备纳米阵列；

所述掩模层通过在支撑层表面上采用表面物理或化学沉积方法得到，所述掩模层的结构与支撑层的表面结构相同。

2.如权利要求1的制备方法，其特征在于，所述掩模层为具有纳米孔阵列的纳米筛，对样片进行刻蚀后除去所述掩模层，在光电器件得到纳米孔阵列结构。

3.如权利要求1的制备方法，其特征在于，所述掩模层为具有纳米孔阵列的纳米筛，对样片进行表面沉积获得纳米点阵列后除去掩模层，在光电器件得到纳米点阵列结构。

4.如权利要求3的制备方法，其特征在于，以纳米点阵列结构为掩膜，刻蚀表面有纳米点阵列结构的光电器件，去除纳米点阵列结构得到表面为纳米柱或纳米圆台阵列结构的光电器件。

5.如权利要求4的制备方法，其特征在于，所述纳米柱或纳米圆台阵列结构通过调节刻蚀时间来获得。

6.如权利要求1的制备方法，其特征在于，所述掩模层的纳米孔径范围为20nm～500nm。

7.如权利要求1的制备方法，其特征在于，所述掩模层的材料选用但不限于铝、镍、铬、金或二氧化硅；在样片上沉积的材料是金属、无机化合物或者有机化合物。

8.如权利要求1-7任一所述的制备方法，其特征在于，所述沉积方法采用真空热蒸发、直流溅射、磁控溅射法、射频溅射、脉冲激光沉积、分子束外延生长法、等离子增强化学气相沉积或其他化学镀中的任一种。

9.如权利要求1-7任一所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀选择电感耦合等离子体刻蚀或者反应离子束刻蚀。

10.如权利要求1-7任一所述的制备方法，其特征在于，所述光电器件为但不限于半导体发光二极管、激光器或超辐射发光二极管。