[发明专利]调节多等离子体处理站的阻抗或功率的组合器和分配器有效
申请号: | 201710459227.6 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN107523810B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
发明(设计)人: | 苏尼尔·卡普尔;乔治·托马斯;亚思万斯·兰吉内尼;爱德华·奥古斯蒂尼克 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/513;H01J37/32 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及调节多等离子体处理站的阻抗或功率的组合器和分配器。具体而言,描述了用于调节多等离子体处理站的阻抗或功率或其组合的系统和方法。该系统中的一种包括:第一射频(RF)发生器,其产生具有第一频率的第一RF信号;第二RF发生器,其被配置为产生具有第二频率的第二RF信号;以及第一匹配网络,其耦合到第一RF发生器以接收第一RF信号。第一阻抗匹配网络在接收到第一RF信号时输出第一经修改的RF信号。系统还包括第二匹配网络,其耦合到第二RF发生器以接收第二RF信号。第二匹配网络被配置为在接收到第二RF信号时输出第二经修改的RF信号。系统还包括组合器和分配器,其耦合到第一匹配网络的输出和第二匹配网络的输出。 | ||
搜索关键词: | 调节 等离子体 处理 阻抗 功率 组合 分配器 | ||
【主权项】:
一种系统,其包括:第一射频(RF)发生器,其被配置为生成具有第一频率的第一RF信号;第二RF发生器,其被配置为产生具有第二频率的第二RF信号;第一匹配网络,其耦合到所述第一RF发生器以接收所述第一RF信号,其中所述第一阻抗匹配网络被配置为在接收到所述第一RF信号时输出第一经修改的RF信号;第二匹配网络,其耦合到所述第二RF发生器以接收所述第二RF信号,其中所述第二匹配网络被配置为在接收到所述第二RF信号时输出第二经修改的RF信号;和组合器和分配器,其耦合到所述第一匹配网络的输出和所述第二匹配网络的输出,其中所述组合器和分配器被配置为组合所述第一经修改的RF信号和所述第二经修改的RF信号以将组合的RF信号提供给多个等离子体处理站,其中所述组合器和分配器具有耦合到所述等离子体处理站的多个输出,其中所述组合器和分配器包括针对所述第一频率和所述第二频率的多个调谐电路,以基于在所述组合器和分配器的输出处测得的参数调谐与所述等离子体处理站相关联的阻抗。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的