[发明专利]一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710457112.3 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107170809A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;袁俊;杨永江;张敬伟;李明山;胡羽中 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件及其制造方法，该方法通过在第一次刻蚀出的凹槽基础上，再用一次或多次的各项同性介质淀积和各项异性刻蚀的方法，形成宽度达到要求的凹槽，淀积金属后即形成细栅长的栅金属。本发明实现了亚微米以下尺寸的栅，突破了光刻设备的关键尺寸限制，并且工艺简单可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 对准 工艺 ganhemt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件，其特征在于，所述GaN HEMT器件的栅凹槽侧壁上保留有第二介质层。
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