[发明专利]一种基于自对准工艺的GaNHEMT器件及其制造方法

权利要求书

1.一种基于自对准工艺的GaN HEMT器件，其特征在于，所述GaN HEMT器件的栅凹槽侧壁上保留有第二介质层。

2.根据权利要求1所述的基于自对准工艺的GaN HEMT器件，其特征在于，所述第二介质层为SiO₂层。

3.一种制造权利要求1-2任一所述的基于自对准工艺的GaN HEMT器件的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

1)在衬底材料上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；

2)将步骤1)制备的产品进行清洗，然后通过光刻、剥离的方法在源、漏淀积欧姆接触金属，并进行快速热退火形成欧姆接触；

3)在表面淀积钝化介质层，在所述钝化介质层上，利用光刻、刻蚀方法形成微米级的栅凹槽；然后通过原子层淀积方法各项同性的淀积第二介质层，再用感应耦合等离子体方法各项异性的刻蚀，刻蚀掉栅凹槽底部和台面上的第二介质层，保留凹槽侧壁的第二介质层；

4)用光刻、蒸发、剥离工艺制作栅金属；

5)栅金属完成后淀积第三介质层进行钝化保护，然后再进行一次刻孔，并淀积金属做上源场板；

6)最后再进行第四介质层淀积，二次刻孔，并在源、漏、栅电极压块金属加厚，并形成介质桥的互连。

4.根据权利权利要求3所述的基于自对准工艺的GaN HEMT器件的制造方法，其特征在于，步骤1)中所述AlN成核层的厚度为20-100nm；GaN缓冲层的厚度为1-4μm；GaN沟道层的厚度为50-500nm；AlGaN势垒层的厚度为10-50nm。

5.根据权利权利要求3所述的基于自对准工艺的GaN HEMT器件的制造方法，其特征在于，步骤4)中在栅金属淀积前，用等离子体处理修复步骤3)制备的产品表面的N缺陷。

6.根据权利权利要求3所述的基于自对准工艺的GaN HEMT器件的制造方法，其特征在于，所述第三介质层为SiO₂，所述第四介质层可以为SiO₂或SiN。