[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，包含形成第一鳍片结构及第二鳍片结构在基材上，并形成图案化多晶硅结构在第一鳍片结构及第二鳍片结构的第一部分上。方法还包含沉积绝缘层在第一鳍片结构及第二鳍片结构的第二部分上，以及在图案化多晶硅结构上，接着，可选择性地从第一鳍片结构及第二鳍片结构的第二部分中移除绝缘层，并图案化在第二鳍片结构的第二部分上的第一硬遮罩层。方法也包含成长第一磊晶区域在第一鳍片结构的第二部分上、从第二鳍片结构的第二部分中移除被图案化的第一硬遮罩层、图案化在第一磊晶区域上的第二硬遮罩层，以及成长第二磊晶区域在第二鳍片结构的第二部分上。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：形成一第一鳍片结构及一第二鳍片结构在一基材上；形成一图案化多晶硅结构在该第一鳍片结构的一第一部分上及该第二鳍片结构的一第一部分上；沉积一绝缘层在该第一鳍片结构的一第二部分上及该第二鳍片结构的一第二部分上，以及在该图案化多晶硅结构上；选择性地从该第一鳍片结构及该第二鳍片结构的该些第二部分中移除该绝缘层；图案化在该第二鳍片结构的该第二部分上的一第一硬遮罩层；成长一第一磊晶区域在该第一鳍片结构的该第二部分上，其中该第一磊晶区域具有一第一型导电性；从该第二鳍片结构的该第二部分中移除该被图案化的第一硬遮罩层；图案化在该第一磊晶区域上的一第二硬遮罩层；以及成长一第二磊晶区域在该第二鳍片结构的该第二部分上，其中该第二磊晶区域具有一第二型导电性，且该第二型导电性是与该第一型导电性不同。