[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

一种半导体装置的制造方法，包含形成第一鳍片结构及第二鳍片结构在基材上，并形成图案化多晶硅结构在第一鳍片结构及第二鳍片结构的第一部分上。方法还包含沉积绝缘层在第一鳍片结构及第二鳍片结构的第二部分上，以及在图案化多晶硅结构上，接着，可选择性地从第一鳍片结构及第二鳍片结构的第二部分中移除绝缘层，并图案化在第二鳍片结构的第二部分上的第一硬遮罩层。方法也包含成长第一磊晶区域在第一鳍片结构的第二部分上、从第二鳍片结构的第二部分中移除被图案化的第一硬遮罩层、图案化在第一磊晶区域上的第二硬遮罩层，以及成长第二磊晶区域在第二鳍片结构的第二部分上。

技术领域

本揭露是关于一种半导体装置及其制造方法，特别是关于一种半导体装置的双磊晶成长方法。

背景技术

本揭露是关于一种半导体装置及其制造方法。

随着半导体科技的进步，对较高储存容量、较快制程系统、较高效能及较低成本的需求已增加。为了达成这些需求，半导体产业继续缩小半导体装置的尺度，例如金属氧化物半导体场效晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor，MOSFETs)，包含平面MOSFETs及鳍式场效晶体管(Fin Field-Effect Transistors，FinFETs)。上述尺度缩小制程增加了半导体的制程的复杂度。

发明内容

本揭露的一态样是提供一种半导体装置的制造方法，其是包含形成第一鳍片结构及第二鳍片结构在基材上，并形成图案化多晶硅结构在第一鳍片结构的第一部分上及第二鳍片结构的第一部分上。方法还包含沉积绝缘层在第一鳍片结构的第二部分上及第二鳍片结构的第二部分上，以及在图案化多晶硅结构上，接着，可选择性地从第一鳍片结构的第二部分及第二鳍片结构的第二部分中移除绝缘层，并图案化在第二鳍片结构的第二部分上的第一硬遮罩层。方法也包含成长具有第一型导电性的第一磊晶区域在第一鳍片结构的第二部分上、从第二鳍片结构的第二部分中移除被图案化的第一硬遮罩层、图案化在第一磊晶区域上的第二硬遮罩层，以及成长具有第二型导电性的第二磊晶区域在第二鳍片结构的第二部分上。第二型导电性是与第一型导电性不同。

本揭露的一态样是提供一种半导体装置的制造方法，其是包含形成第一鳍片结构及第二鳍片结构在基材上，并形成图案化多晶硅结构在第一鳍片结构的第一部分上及第二鳍片结构的第一部分上。方法还包含沉积绝缘层在第一鳍片结构的第二部分上及第二鳍片结构的第二部分上，以及在图案化多晶硅结构上，接着，从第一鳍片结构的第二部分及第二鳍片结构的第二部分中蚀刻绝缘层、侧向修整第一鳍片结构及第二鳍片结构的被蚀刻的第二部分以及图案化在第二鳍片结构的被修整的第二部分上的第一硬遮罩层。方法也包含成长具有第一型导电性的第一磊晶区域在第一鳍片结构的被修整的第二部分上、图案化在第一磊晶区域上的第二硬遮罩层，以及成长具有第二型导电性的第二磊晶区域在第二鳍片结构的被修整的第二部分上。第二型导电性是与第一型导电性不同。

本揭露的一态样是提供一种半导体装置的制造方法，其是形成第一鳍片结构及第二鳍片结构在基材上，并沉积绝缘层在第一鳍片结构及第二鳍片结构上。方法还包含从第一鳍片结构及第二鳍片结构中蚀刻绝缘层，以及图案化在第二鳍片结构上的第一硬遮罩层。方法也包含成长具有第一型导电性的第一磊晶区域在第一鳍片结构上、从第二鳍片结构中移除图案化的第一硬遮罩层、图案化在第一磊晶区域上的第二硬遮罩层，以及成长具有第二型导电性的第二磊晶区域在第二鳍片结构上。第二型导电性是与第一型导电性不同。

附图说明

根据以下详细说明并配合附图阅读，使本揭露的态样获致较佳的理解。需注意的是，如同业界的标准作法，许多特征并不是按照比例绘示。事实上，为了进行清楚讨论，许多特征的尺寸可以经过任意缩放。

图1A及图1B是绘示根据一些实施例的半导体装置的等角视图；

图1C至图1E是绘示根据一些实施例的分别沿着图1A的A-A线、B-B线及C-C线的半导体装置的剖面视图；