[发明专利]一种基于溶剂热插层法的硒化锗二维材料的制备方法在审
| 申请号： | 201710444138.4 | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN109081316A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 李瑀;张盼盼;封伟;冯奕钰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y40/00;H01L29/24 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于溶剂热插层法的硒化锗二维材料的制备：包括如下步骤：(1)将硒化锗粉末放入反应釜，加入溶剂，升温至100‑200℃，保温8‑48h；(2)将步骤(1)溶剂热后的硒化锗分散液放入细胞粉碎机，进行超声处理；(3)对超声后的硒化锗分散液进行离心处理，得到灰黑色的上层清液，所述灰黑色的上层清液内分散有单层或少层硒化锗。本发明的有益效果是：制备方法简单易行，操作简单。 | ||
| 搜索关键词： | 硒化锗 溶剂热 制备 二维材料 上层清液 插层法 分散液 灰黑色 放入 细胞粉碎机 超声处理 离心处理 反应釜 溶剂 超声 单层 少层 保温 | ||
【主权项】：
1.一种基于溶剂热插层法的硒化锗二维材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将硒化锗粉末放入反应釜，加入有机溶剂，升温至100‑200oC，保温8‑48h，所述有机溶剂选取乙醇、甲醇、二甲基甲酰胺或氯仿；(2)将步骤(1)溶剂热后的硒化锗分散液放入细胞粉碎机，进行超声处理，其中：超声处理时间为2‑20h，超声功率为50‑300W；(3)对超声后的硒化锗分散液进行离心处理，得到灰黑色的上层清液，所述灰黑色的上层清液内分散有单层或少层硒化锗，其中少层硒化锗为2‑3层，其中离心分离的速度为1000r/min‑8000r/min，离心时间为5‑60min。
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