[发明专利]一种基于溶剂热插层法的硒化锗二维材料的制备方法

权利要求书

1.一种基于溶剂热插层法的硒化锗二维材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将硒化锗粉末放入反应釜，加入有机溶剂，升温至100-200oC，保温8-48h，所述有机溶剂选取乙醇、甲醇、二甲基甲酰胺或氯仿；

(2)将步骤(1)溶剂热后的硒化锗分散液放入细胞粉碎机，进行超声处理，其中：超声处理时间为2-20h，超声功率为50-300W；

(3)对超声后的硒化锗分散液进行离心处理，得到灰黑色的上层清液，所述灰黑色的上层清液内分散有单层或少层硒化锗，其中少层硒化锗为2-3层，其中离心分离的速度为1000r/min-8000r/min，离心时间为5-60min。

2.如权利要求1所述的一种基于溶剂热插层法的硒化锗二维材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的硒化锗粉末通过以下步骤制备：称取等摩尔比的硒和锗粉末置于石英玻璃管内真空封装，缓慢加热到600℃～1000℃，保温12-72h，自然冷却到室温，得到硒化锗粉末材料。

3.如权利要求1所述的一种基于溶剂热插层法的硒化锗二维材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中有机溶剂选取乙醇或甲醇。

4.如权利要求1所述的一种基于溶剂热插层法的硒化锗二维材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中超声处理时间为15-20h，超声功率为100-300W。

5.如权利要求1所述的一种基于溶剂热插层法的硒化锗二维材料的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中离心分离的速度为5000r/min-8000r/min，离心时间为30-60min。

6.如权利要求1所述的一种基于溶剂热插层法的硒化锗二维材料的制备方法，其特征在于，通过调整溶剂热插层过程中溶剂种类、温度、时间，制备出均一的硒化锗二维纳米片。

7.如权利要求1所述的一种基于溶剂热插层法的硒化锗二维材料的制备方法所得到的分散有单层或少层硒化锗的上清液在制备半导体材料中的应用。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于：将分散有单层或少层硒化锗的上清液旋涂到硅片上，在光镜下找到合适的片层材料，在片层两端蒸镀电极，得到场效应晶体管器件。