[发明专利]光电探测结构及其制作方法、光电探测器

摘要

一种光电探测结构及其制作方法、光电探测器。该光电探测结构包括：衬底基板；电极条，设置在衬底基板上；半导体层，设置在衬底基板面向电极条的一侧；绝缘层，设置在电极条与半导体层之间，其中，绝缘层包括厚度增加部，厚度增加部位于电极条的至少一个边缘处。采用该光电探测结构可以降低电极条边缘处对应的半导体光电转化层中的电场强度，一方面降低了暗电流，另一方面可以通过减小电极条的宽度来提升光电探测器的性能。

主权项

1.一种光电探测结构，包括：衬底基板；电极条，设置在所述衬底基板上；半导体层，设置在所述衬底基板面向所述电极条的一侧；绝缘层，设置在所述电极条与所述半导体层之间，其中，所述绝缘层包括厚度增加部，所述厚度增加部位于所述电极条的至少一个边缘处，所述绝缘层不包括所述厚度增加部的部分的膜层位于所述电极条的边缘之间的部分上以及所述衬底基板的未设置所述电极条的区域中。