[发明专利]光电探测结构及其制作方法、光电探测器

权利要求书

1.一种光电探测结构，包括：

衬底基板；

电极条，设置在所述衬底基板上；

半导体层，设置在所述衬底基板面向所述电极条的一侧；

绝缘层，设置在所述电极条与所述半导体层之间，

其中，所述绝缘层包括厚度增加部，所述厚度增加部位于所述电极条的至少一个边缘处，所述绝缘层不包括所述厚度增加部的部分的膜层位于所述电极条的边缘之间的部分上以及所述衬底基板的未设置所述电极条的区域中。

2.根据权利要求1所述的光电探测结构，其中，所述半导体层位于所述电极条远离所述衬底基板的一侧。

3.根据权利要求1所述的光电探测结构，其中，所述厚度增加部的厚度与所述绝缘层不包括所述厚度增加部的部分的膜层的厚度之比的范围为1.5:1～3:1。

4.根据权利要求1所述的光电探测结构，其中，所述电极条包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多个子电极条，所述第一方向与所述第二方向彼此交叉。

5.根据权利要求4所述的光电探测结构，其中，所述厚度增加部位于每个所述子电极条的沿所述第一方向延伸的两个边缘处。

6.根据权利要求1所述的光电探测结构，其中，所述绝缘层的材料包括光致抗蚀剂材料。

7.根据权利要求1所述的光电探测结构，其中，所述绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述电极条的至少一个边缘处以形成所述厚度增加部。

8.根据权利要求4或5所述的光电探测结构，其中，所述电极条的图案包括叉指电极图案。

9.一种光电探测器，包括权利要求1-8任一项所述的光电探测结构。

10.一种光电探测结构的制作方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成电极条；

在所述衬底基板面向所述电极条的一侧形成半导体层；

在所述半导体层与所述电极条之间形成绝缘层，

其中，所述绝缘层包括厚度增加部，所述厚度增加部位于所述电极条的至少一个边缘处，所述绝缘层不包括所述厚度增加部的部分的膜层位于所述电极条的边缘之间的部分上以及所述衬底基板的未设置所述电极条的区域中。

11.根据权利要求10所述的光电探测结构的制作方法，其中，所述绝缘层的材料包括光致抗蚀剂材料，且所述绝缘层采用半色调掩模工艺一步图案化形成。

12.根据权利要求10所述的光电探测结构的制作方法，其中，所述绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层，形成所述绝缘层包括：

在所述电极条上形成所述第一绝缘层，在位于所述电极条的至少一个边缘处形成所述第二绝缘层以形成所述厚度增加部。